一、考試要點
?。ㄒ唬┌雽w晶體結構和缺陷
半導體的分類及其特點,半導體的性質(zhì)及導電能力對外界因素的依賴性,半導體化學鍵的性質(zhì)和半導體的晶體結構,金剛石與閃鋅礦結構的特點及其各向異性。
?。ǘ┌雽w中的電子狀態(tài)
半導體中電子狀態(tài)與能帶,半導體中的電子運動與有效質(zhì)量,空穴,回旋共振原理與作用,Si的回旋共振實驗結果,常用元素半導體和典型化合物半導體的能帶結構。
(三)半導體中雜志和缺陷能級
半導體中的雜質(zhì)和缺陷,元素半導體中的雜質(zhì)和缺陷能級,化合物半導體中的雜質(zhì)能級、位錯和缺陷能級。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中的雜質(zhì)能級
等電子雜質(zhì)與等電子陷阱
半導體中的缺陷與位錯能級
?。ㄋ模┌雽w中載流子的統(tǒng)計分布
狀態(tài)密度,分布函數(shù)、Fermi能級,載流子統(tǒng)計分布,本征和雜質(zhì)半導體的載流子濃度,補償半導體的載流子濃度,簡并半導體
(五)半導體的導電性
載流子的漂移運動,遷移率,載流子的散射,遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系,電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系,強場效應與熱載流子
(六)非平衡載流子
非平衡狀態(tài),非平衡載流子的產(chǎn)生與復合,非平衡載流子壽命,準費米能級,復合理論,陷阱效應,非平衡載流子載流子的擴散與漂移,愛因斯坦關系,連續(xù)性方程
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