2024年天津大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件考研大綱已公布！813半導(dǎo)體物理與器件考研大綱內(nèi)容包括考試的總體要求、考試內(nèi)容及比例、試卷類型及比例、參考教材等。小編為大家整理出半導(dǎo)體物理與器件考研大綱，感興趣的同學(xué)們千萬不要錯過！
2024年天津大學(xué)813考研大綱公布！
　　一、考試的總體要求
　　本課程為本專業(yè)主干專業(yè)基礎(chǔ)課，要求考生掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、二極管/雙極型晶體管/場效應(yīng)晶體管等器件的基本原理和應(yīng)用。
　　二、考試的內(nèi)容及比例
　?。ㄒ唬┛荚噧?nèi)容要點：
　　第一部分：（50%）
　　1、半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、雜質(zhì)能級；
　　2、熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計分布，本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體和重?fù)诫s效應(yīng)；
　　3、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射、強電場效應(yīng)、熱載流子的概念,半導(dǎo)體電阻率與溫度、雜質(zhì)濃度的關(guān)系；
　　4、非平衡載流子：非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合、壽命、擴散長度、準(zhǔn)費米能級，愛因斯坦關(guān)系，一維穩(wěn)定擴散，光激發(fā)載流子衰減；
　　5、p-n結(jié)：平衡與非平衡p-n結(jié)特點及其能帶圖，pn結(jié)理想和非理想I-V特性，p-n結(jié)電容概念與擊穿機制，p-n結(jié)隧道效應(yīng)、肖特基勢壘二極管；
　　6、金屬與半導(dǎo)體接觸特點及其能帶圖，金屬半導(dǎo)體接觸整流理論，歐姆接觸；
　　7、MOS結(jié)構(gòu)表面電場效應(yīng)，理想與實際MOS結(jié)構(gòu)C-V特性；
　　第二部分：（50%）
　　1、雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)，工作原理，少子分布，低頻電流增益和非理想效應(yīng)；
　　2、雙極晶體管的等效電路模型，頻率特性和開關(guān)特性；
　　3、MOSFET的基本結(jié)構(gòu)，工作原理，關(guān)鍵參數(shù)，電流電壓關(guān)系，擊穿特性；
　　4、MOSFET的小信號模型和頻率特性；
　　5、MOSFET的非理想效應(yīng)；
　　6、結(jié)型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和基本工作原理；
　　7、光器件與功率器件的原理、特點與應(yīng)用。
　　（二）比例：
　　兩部分考試內(nèi)容各占50%。
　　三、試卷題型及比例
　　1、填空與問答題：80%
　　2、計算與推導(dǎo)題：20%
　　四、考試形式及時間
　　考試形式均為筆試?？荚嚂r間為3小時(滿分150)。
　　五、參考書目
　　半導(dǎo)體物理學(xué)，（第七版），劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社。
　　半導(dǎo)體物理與器件，（第四版），趙毅強、姚素英等譯，電子工業(yè)出版社。
　　晶體管原理與設(shè)計，陳星弼張慶中等，電子工業(yè)出版社。
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