天津大學(xué)集成電路科學(xué)與工程綜合2023年考研復(fù)試大綱已經(jīng)發(fā)布，包含了考試范圍、考試要求、考試形式、試卷結(jié)構(gòu)等重要信息，對(duì)考生具有重大的參考意義。高頓考研為大家整理了天津大學(xué)集成電路科學(xué)與工程綜合2023年考研復(fù)試大綱的詳細(xì)內(nèi)容，供大家參考！
課程名稱：集成電路科學(xué)與工程綜合
一、考試的總體要求
考察學(xué)生對(duì)《半導(dǎo)體物理與器件》、《模擬集成電路》和《數(shù)字集成電路》等集成電路科學(xué)與工程的基本概念、基本理論知識(shí)、基本技能及分析問題和解決問題的能力。
二、考試內(nèi)容及比例
（一）半導(dǎo)體物理與器件
1、半導(dǎo)體物理基本概念：能帶理論、載流子濃度與摻雜及溫度關(guān)系、非平衡載流子、費(fèi)米能級(jí)與準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)、遷移率與摻雜和溫度的關(guān)系、金屬與半導(dǎo)體接觸理論、MIS結(jié)構(gòu)；
2、半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)：異質(zhì)結(jié)概念及能帶圖，異質(zhì)結(jié)鍺硅雙極晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因，高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)與原因；
3、半導(dǎo)體光學(xué)性質(zhì)：半導(dǎo)體光吸收，半導(dǎo)體光電探測(cè)器，半導(dǎo)體太陽電池，半導(dǎo)體發(fā)光概念與應(yīng)用，半導(dǎo)體激光基本原理；
4、半導(dǎo)體器件：半導(dǎo)體二極管、雙極晶體管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作原理。
（二）模擬集成電路
1、單級(jí)放大器：共源級(jí)放大器、源跟隨器、共柵級(jí)放大器、共源共柵級(jí)放大器；
2、差動(dòng)放大器：?jiǎn)味伺c差動(dòng)工作方式、基本差動(dòng)對(duì)定性與定量分析、共模響應(yīng)；
3、電流鏡：基本電流鏡結(jié)構(gòu)、共源共柵電流鏡、電流鏡大信號(hào)和小信號(hào)分析；
4、運(yùn)算放大器：典型運(yùn)算放電路結(jié)構(gòu)、運(yùn)放帶寬、增益、相位裕度、動(dòng)態(tài)范圍、電源抑制比、共模抑制比等參數(shù)概念、運(yùn)算放大器的頻率特性、穩(wěn)定性與頻率補(bǔ)償；
5、電路噪聲：噪聲的統(tǒng)計(jì)特性、噪聲類型、電路中噪聲的表示、差動(dòng)對(duì)中的噪聲、噪聲帶寬；
6、反饋原理：反饋結(jié)構(gòu)、反饋對(duì)負(fù)載的影響。
（二）數(shù)字集成電路
1、MOS反相器及基本邏輯單元：CMOS反相器、動(dòng)態(tài)反相器、反相器鏈的延時(shí)、NMOS邏輯、偽NMOS邏輯、傳輸管邏輯、傳輸門邏輯等。
2、導(dǎo)線模型及寄生參數(shù)：導(dǎo)線的互連參數(shù)、集總式模型、分布式模型、Elmore延時(shí)。
3、CMOS組合邏輯門的設(shè)計(jì)：靜態(tài)CMOS組合邏輯、動(dòng)態(tài)CMOS組合邏輯、多米諾邏輯、大扇入組合邏輯的優(yōu)化技術(shù)等。
4、時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)：靜態(tài)鎖存器和寄存器、動(dòng)態(tài)鎖存器和寄存器、流水線、施密特觸發(fā)器、非雙穩(wěn)時(shí)序電路等。
5、數(shù)字電路中的時(shí)序問題：數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序分類、同步設(shè)計(jì)、自定時(shí)電路、時(shí)鐘的不確定性、同步器等。
6、設(shè)計(jì)運(yùn)算功能單元：數(shù)字處理器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)通路、加法器、乘法器、移位器等。
三、參考書目
1、半導(dǎo)體物理學(xué)，劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業(yè)出版社；
2、半導(dǎo)體物理與器件，美Neamen著，趙毅強(qiáng)等譯，電子工業(yè)出版社；
3、模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)，美Razavi著，陳貴燦等譯，西安交通大學(xué)出版社；
4、數(shù)字集成電路-電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)，周潤(rùn)德等譯，電子工業(yè)出版社。
文章來源：天津大學(xué)研究生院官網(wǎng)